Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference (한국자기학회:학술대회 개요집)
- 2002.12a
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- Pages.156-157
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- 2002
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- 2233-9485(pISSN)
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- 2233-9574(eISSN)
Optical property of spin Diode
- Lee, J. H. (Korea Institute of Science and Technology) ;
- Jun, K-I (Korea Institute of Science and Technolog) ;
- Shin, Kyung-Ho (Korea Institute of Science and Technolog) ;
- Park, S. Y. (Korea University) ;
- K. Rhie (Korea University) ;
- Lee, B. C. (Inha University)
- Published : 2002.12.01
Abstract
자성체, 반도체의 계면을 조절하여 스핀 산란을 없애는 방법으로 A12O3를 이용하여, 스핀의 정보를 잃지 않고 반도체에 주입할 수 있는 방법을 연구하였다. 반도체에 월형 편광된 laser를 조사하여 내부에서 여기한 전자 spin이 자성체 내부로 흘러가면서 일어나는 현상을 관측한 것이다[1], [2]. 일반적인 반도체와 금속간의 접합을 구성한 schottky-barrier 특성이 아닌 접합 사이에 인위적으로 barrier를 형성하여 그 특성을 관측하였다. n-type 과 p-type의 시료를 제작하여 I-V 특성을 온도에 따라 I-V 특성 측정하였다. (중략)
Keywords