한국자기학회:학술대회 개요집 (Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference)

한국자기학회 (The Korean Magnetics Society)
권호 표지

Capping Material ＆ External Field Intensity에 따른 자기 저항 특성 연구

Magnetic Properties of MTJ by Capping Material ＆ External Field Intensity

  • 발행 : 2002.12.01
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초록

최근 실온에서 약 40％ 이상의 높은 자기저항(magnetoresistance, MR)을 나타내는 자기 터널 접합(magnetic tunnel junction, MTJ)이 보고되면서 비휘발성 자기메모리로의 응용을 눈앞에 두고 있다.[1]. 이에 본 실험에서는 Substrate / Ta (base electrode) / NiFe / PtMn (AF pinning layer) / CoFe (pinned) / Ru / CoFe (fixed) / Al-O/ CoFe (free) / NiFe (free) / Ta & Ru (Capping Layer)과 같은 MTJ 증착 구조를 사용하여, MTJ의 보다 향상된 특성을 확보하기 위한 노력으로서 Al-O 두께, 어닐링 조건(Field Intensity ＆ Sequence)변화 등을 시도하였다. (중략)

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