Specualr spin valve with nano-oxide layer

나노 oxide 층을 가진 스펙큘라 스핀밸브

  • Kim, K.Y. (Nanodevice Research Center) ;
  • Kim, H.J. (Nanodevice Research Center) ;
  • Jang, S.H. (School of materials Science and Engineering, SNU) ;
  • Kang, T. (School of materials Science and Engineering, SNU)
  • 김광윤 (나노소자연구센터 한국과학기술연구원) ;
  • 김희중 (나노소자연구센터 한국과학기술연구원) ;
  • 장성호 (서울대학교 재료공학부) ;
  • 강탁 (서울대학교 재료공학부)
  • Published : 2002.12.01

Abstract

100 Gbit/in$^2$ 이상의 자기기록밀도를 달성하기 위해서는 재생헤드로 사용되고 있는 스핀밸브의 자기저항비가 10% 이상을 가지면서 열적 특성이 우수해야 한다. 현재까지 연구되어진 스핀밸브 구조 중 NiO([,2,3], $\alpha$-Fe$_2$O$_3$[4]등의 산화물 반강자성 층을 사용한 스핀밸브의 경우 기본 스핀밸브 구조를 사용하고도 이미 20% 이상의 자기저항비를 달성하였다. 이러한 높은 자기저항비는 절연층인 산화물 반강자성층과 금속 자성층 계면에서 일어나는 전자의 스펙큘라 반사(specular reflection)로부터 기인한다고 보고하고 있다.[2] (중략)

Keywords