Design and Implementation of RF Predistorted Asymmetric Doherty Power Amplifier

RF 전치왜곡 비대칭 도허티 증폭기 설계 및 제작

  • 최영락 (광운대학교 전파공학과, RFIC 연구 및 교육센터) ;
  • 장동희 (광운대학교 전파공학과, RFIC 연구 및 교육센터) ;
  • 김상희 (광운대학교 전파공학과, RFIC 연구 및 교육센터) ;
  • 조경준 (광운대학교 전파공학과, RFIC 연구 및 교육센터) ;
  • 김종헌 (광운대학교 전파공학과, RFIC 연구 및 교육센터) ;
  • 김남영 (광운대학교 전파공학과, RFIC 연구 및 교육센터) ;
  • 이병제 (광운대학교 전파공학과, RFIC 연구 및 교육센터) ;
  • 이종철 (광운대학교 전파공학과, RFIC 연구 및 교육센터)
  • Published : 2002.11.01

Abstract

A RE predistorted asymmetric Doherty amplifier for CDMA IS-95 signal has been fabricated using GaAs FETs. The Doherty amplifier used a Class AB main device and a Class C auxiliary device. At 6 ㏈ back-of from Pl ㏈ of 34 ㏈m, PAE of 27% was measured. This Doherty amplifier has higher PAE than Class AB for over 20 dB range of pout power. A RF predistortion linearizer is applied to the Doherty amplifier to improve the IMD cancellation performance. The 3rd order IMD cancellation of 12.2 ㏈ was achieved at output power of 18 ㏈m.

Keywords