Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference (한국재료학회:학술대회논문집)
- 2002.11a
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- Pages.108-108
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- 2002
Effect of abnormal dopant profiles on the junction leakage current in submicron CMOS devices with Co-silicidation and shallow trench isolation (STI) processes
비이상 불순물 분포 상태가 $CoSi_2$ 와 STI 공정에 의해서 제작된 CMOS 소자의 누설전류에 미치는 영향에 관한 연구
Abstract
Keywords