SiC epi-layer growth using single precursor

단일 전구체를 사용한 SiC 박막의 성장

  • 노대호 (고려대학교 재료공학과) ;
  • 변동진 (고려대학교 재료공학과) ;
  • 김재수 (한국과학기술연구원 금속공정연구센터) ;
  • 윤진국 (한국과학기술연구원 금속공정연구센터) ;
  • 진정근 (고려대학교 재료공학과) ;
  • 이종권 (한국과학기술연구원 금속공정연구센터)
  • Published : 2002.11.01