Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference (한국재료학회:학술대회논문집)
- 2002.11a
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- Pages.86-86
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- 2002
Characteristics Of $HfO_2$ gate dielectric films deposited on Si(100) substrates using atomic layer deposition method
ALD 방법으로 Si(100) 기판에 증착한 $HfO_2$ 게이트 유전박막의 특성
Abstract
Keywords