초록
본 논문에서는 광센서용 광원에 적합한 1.55$\mu\textrm{m}$ 파장대의 InGaAsP/InP 반도체레이저를 제작하였다. 레이징을 억제시켜주기 위해서 bending type의 소자를 설계 및 제작하였으며, 제작된 소자의 출력은 펄스 구동전류 100㎃에서 1.6㎽이고, 스펙트럼 폭은 40nm의 값을 가졌다. 그리고, 제작된 광원을 적용하였을 때 광섬유 자이로스코프에 파이버 종단에서의 출력은 $25^{\circ}C$, 직류 100㎃에서 540㎻였고, 스펙트럼 폭은 53nm였다. 그리고, 불규칙잡음 계수는 2.5$\times$10$^3$deg/√hr였고, 자이로 출력 drift도 잡음수준으로 조사되었다. 따라서, 본 연구에서 제작한 광원을 광섬유 자이로 스코프에 사용 가능함을 확인하였다.
In this study, we fabricated the semiconductor laser for optical sensor with 1.55${\mu}{\textrm}{m}$wavelength region. In order to suppress lasing oscillation and to reduce the reflectivity, the devices of bending type were designed and fabricated. Their output power were 1.6㎽ at a pulse drive current of 100㎃. When the fabricated device was applied to optical fiber gyroscope, the output power of optical fiber was 540㎻ at a CW drive current of 100㎃, the full width at half maximum spectral width was 53nm. And the random-walk coefficient was measured to be 2.5$\times$10$^3$deg/√hr, the gyro output drift was also found to be 0.3 deg/hr. So we confirmed the possibility of application to use for light source of optical fiber gyroscope.