OPC Technique in The AttPSM Lithography Process Using Scattering Bars

Scattering Bar를 이용한 AttPSM Lithography 공정에서의 OPC

Overlay margin 확보를 위한 oversizing과, design rule checking, jog filtering를 통하여 side-lobe를 추출하였다. 이렇게 추출한 side-lobe를 extent하고, Cr pattern을 정의하여 side-lobe 현상을 해결할 수 있었다. 하지만 이 방법은 mask제조 공정이 복잡하므로 Cr shield방식의 단점인 복잡한 mask제작공정과 구조를 단순화하기 위하여 scattering bar를 이용하였다. 따라서, scattering bar를 삽입하기 위한 rule을 생성하여 metal layer에 적용하고 aerial image simulation을 통해 side-lobe 현상이 억제되었음을 확인하였다. 그리고 앞에서와는 반대로 background clear의 경우에 발생하는 side-lobe에 scattering bar를 적용하여 억제됨을 확인하였다.