Proceedings of the KAIS Fall Conference (한국산학기술학회:학술대회논문집)

The Korea Academia-Industrial cooperation Society (한국산학기술학회)
권호 표지

OPC Technique in The AttPSM Lithography Process Using Scattering Bars

Scattering Bar를 이용한 AttPSM Lithography 공정에서의 OPC

  • 이미영 (상명대학교 컴퓨터시스템공학전공) ;
  • 이홍주 (상명대학교 컴퓨터시스템공학전공)
  • Published : 2002.11.01

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Abstract

Overlay margin 확보를 위한 oversizing과, design rule checking, jog filtering를 통하여 side-lobe를 추출하였다. 이렇게 추출한 side-lobe를 extent하고, Cr pattern을 정의하여 side-lobe 현상을 해결할 수 있었다. 하지만 이 방법은 mask제조 공정이 복잡하므로 Cr shield방식의 단점인 복잡한 mask제작공정과 구조를 단순화하기 위하여 scattering bar를 이용하였다. 따라서, scattering bar를 삽입하기 위한 rule을 생성하여 metal layer에 적용하고 aerial image simulation을 통해 side-lobe 현상이 억제되었음을 확인하였다. 그리고 앞에서와는 반대로 background clear의 경우에 발생하는 side-lobe에 scattering bar를 적용하여 억제됨을 확인하였다.

Keywords