대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)
- 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
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- Pages.2014-2016
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- 2002
Molybdenum 게이트를 적용한 저온 SLS 다결정 TFT 소자 제작과 특성분석에 관한 연구
Low Temperature Sequential Lateral Solidification(SLS) Poly-Si Thin Film Transistor(TFT) with Molybdenum Gate
- Kho, Young-Woon (Department of Electrical Engineering, Korea University) ;
- Oh, Jae-Young (Department of Material Science and Engineering, Korea University) ;
- Kim, Dong-Hwan (Department of Material Science and Engineering, Korea University) ;
- Pak, Jung-Ho (Department of Electrical Engineering, Korea University)
- 발행 : 2002.07.10
초록
Liquid crystal displays(LCDs)의 스위칭 소자로써 thin film transistors(TFTs)를 적용하기 위해서 저온 공정이 가능하도록 molybdenum 금속을 게이트에 사용하여 저온 다결정 TFTs 소자를 제작하였다. 또한, 채널 길이 방향으로 결정을 성장시켜 결정립이 큰 다결정 실리콘을 얻을 수 있는 sequential lateral solidification(SLS) 결정화 방법을 사용하였다. SLS-TFT 소자를
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