대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)

대한전기학회 (The Korean Institute of Electrical Engineers)
권호 표지

Molybdenum 게이트를 적용한 저온 SLS 다결정 TFT 소자 제작과 특성분석에 관한 연구

Low Temperature Sequential Lateral Solidification(SLS) Poly-Si Thin Film Transistor(TFT) with Molybdenum Gate

  • 고영운 (고려대학교 전기공학과) ;
  • 오재영 (고려대학교 재료금속공학과) ;
  • 김동환 (고려대학교 재료금속공학과) ;
  • 박정호 (고려대학교 전기공학과)
  • Kho, Young-Woon (Department of Electrical Engineering, Korea University) ;
  • Oh, Jae-Young (Department of Material Science and Engineering, Korea University) ;
  • Kim, Dong-Hwan (Department of Material Science and Engineering, Korea University) ;
  • Pak, Jung-Ho (Department of Electrical Engineering, Korea University)
  • 발행 : 2002.07.10
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초록

Liquid crystal displays(LCDs)의 스위칭 소자로써 thin film transistors(TFTs)를 적용하기 위해서 저온 공정이 가능하도록 molybdenum 금속을 게이트에 사용하여 저온 다결정 TFTs 소자를 제작하였다. 또한, 채널 길이 방향으로 결정을 성장시켜 결정립이 큰 다결정 실리콘을 얻을 수 있는 sequential lateral solidification(SLS) 결정화 방법을 사용하였다. SLS-TFT 소자를 $2{\mu}m$에서 $20{\mu}m$까지의 다양한 채널 길이와 폭으로 제작한 후 각 소자들의 I-V 특성 곡선과 소자의 물성 분석을 위해 필요한 변수들을 구하여 이들의 전기적인 특성을 비교, 분석하였다. 제작된 소자들로부터 측정된 이동도는 $100{\sim}400Cm^2$/Vs, on/off 전류비는 약 $10^7$, off-state 전류는 약 $100{\times}10^{-12}A$로 대체적으로 우수한 특성을 보였다.

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