전력용 반도체 소자의 항복 전압 특성을 개선한 얇은 실리콘 산화막 트렌치를 이용한 새로운 접합 마감

A New Junction Termination Improving Breakdown Characteristics of Power Devices by Using Shallow Silicon Oxide Trench

  • 하민우 (서울대학교 전기.컴퓨터 공학부) ;
  • 오재근 (서울대학교 전기.컴퓨터 공학부) ;
  • 한민구 (서울대학교 전기.컴퓨터 공학부) ;
  • 최연익 (아주대학교 전자공학부)
  • Ha, Min-Woo (School of Electrical Engineering & Computer Science Seoul National University) ;
  • Oh, Jae-Geun (School of Electrical Engineering & Computer Science Seoul National University) ;
  • Han, Min-Koo (School of Electrical Engineering & Computer Science Seoul National University) ;
  • Choi, Yearn-Ik (Ajou University)
  • 발행 : 2002.07.10

초록

본 논문은 얇은 실리콘 산화막 트렌치를 이용하여 같은 항복 전압에서 면적을 줄이는 접합 마감(junction termination)을 제안하였다. 제안된 P+FLR(Floating Field Ring) 구조는 기존 P+ FLR구조에 비해 항복 전압 571 V에서 면적을 83 %로 감소시켜 접합 마감 특성이 개선되었다.

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