Detection of Etching Pattern Using Wavelets

웨이블릿을 이용한 식각 패턴의 검사

장비 플라즈마의 감시는 장비의 신뢰성과 생산성의 유지에 중요하다. 이산 웨이블릿 기술(Discrete Wavelet Transform)을 에칭 프로파일 표면의 이상(Anomaly)을 검출하는 데 응용하였다. 플라즈마 이상은 $SF_6$ 유량에 변화를 주면서 모의실험 되어졌다. 프로파일의 수직, 수평 그리고 수직과 수평부분이 합해진 부분에 대한 변환된 계수의 변화를 개별적, 그리고 총체적으로 평가하였다. 그 결과 각 부분에 대해 4번째의 계수가 가장 높은 민감도를 보였으며, 총체적인 평가에 있어서는 합해진 부분에 대한 민감도가 가장 높았다.