RTLPCVD법에 의해 sapphire(1102)위에 제작된 Si 박막의 특성

  • 차정호 (동국대학교 양자기능반도체연구센터) ;
  • 강윤묵 (동국대학교 양자기능반도체연구센터) ;
  • 이세준 (동국대학교 양자기능반도체연구센터) ;
  • 박찬진 (동국대학교 양자기능반도체연구센터) ;
  • 조훈영 (동국대학교 양자기능반도체연구센터) ;
  • 이재호 (헤세드 테크놀로지(주)) ;
  • 강태원 (동국대학교 양자기능반도체연구센터) ;
  • 김득영 (동국대학교 양자기능반도체연구센터)
  • Published : 2001.07.05