Effects of step-graded $Al_{x}Ga_{1-x}N$ interlayer on properites of GaN grown on Si (111) using ultrahigh vacuum chemical vapor deposition

• Kim, Min-Ho ;
• Do, Yeong-Gu ;
• Gang, Hyeon-Cheol ;
• No, Do-Yeong ;
• Park, Seong-Ju

• 김민호 (광주과학기술원 신소재공학과) ;
• 도영구 (광주과학기술원 신소재공학과) ;
• 강현철 (광주과학기술원 신소재공학과) ;
• 노도영 (광주과학기술원 신소재공학과) ;
• 박성주 (광주과학기술원 신소재공학과)

• Published : 2001.07.05

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