Growth of GaN Films on Si with a $LiGaO_{2}$ Buffer Layer by Single Precursor MOCVD

  • 한성원 (한국화학연구소 소재연구부) ;
  • 임종태 (한국화학연구소 소재연구부) ;
  • 유승호 (한국화학연구소 소재연구부) ;
  • 부진효 (성균관대학교 화학과) ;
  • 김창균 (한국화학연구소 소재연구부) ;
  • 김윤수 (한국화학연구소 소재연구부)
  • Published : 2001.02.22