한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
- /
- Pages.185-188
- /
- 2001
STI-CMP 공정에서 Consumable의 영향
Effects of Consumable on STI-CMP Process
- 김상용 (아남반도체, Fab 사업부 MIT팀) ;
- 박성우 (대불대학교 전기공학과) ;
- 정소영 (대불대학교 전기공학과) ;
- 이우선 (조선대학교 전기공학과) ;
- 김창일 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
- 장의구 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
- 서용진 (대불대학교 전기공학과)
- Kim, Sang-Yong ;
- Park, Sung-Woo ;
- Jeong, So-Young ;
- Lee, Woo-Sun ;
- Kim, Chang-Il ;
- Chang, Eui-Goo ;
- Seo, Yong-Jin
- 발행 : 2001.11.08
초록
Chemical mechanical polishing(CMP) process is widely used for global planarization of inter-metal dielectric (IMD) layer and inter-layer dielectric (ILD) for deep sub-micron technology. However, as the IMD and ILD layer gets thinner, defects such as micro-scratch lead to severe circuit failure, which affect yield. In this paper, for the improvement of CMP process, deionized water (DIW) pressure, purified
키워드