이중 애노드 구조의 SOI LIGBT

Dual Anode LIGBT on SOI Subskates

  • 최승필 (서울대학교 전기컴퓨터공학부) ;
  • 전병철 (서울대학교 전기컴퓨터공학부) ;
  • 한민구 (서울대학교 전기컴퓨터공학부) ;
  • 최연익 (아주대학교 전자공학부)
  • 발행 : 2001.11.03

초록

새로이 제안한 이중 애노드 LIGBT(Dual Anode LIGBT)는 빠른 스위칭을 위한 기존의 단락 애노드 구조를 캐소드의 양쪽에 위치시킴으로써 단락 애노드 구조가 갖는 부성저항영역을 효과적으로 제거했다. 뿐만 아니라 순방향전압강하 또한 기존의 분리된 단락 애노드 LIGBT (Seperate Shorted Anode LIGBT)에 비해 30%의 개선 효과를 갖는다.

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