Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 2001.11a
- /
- Pages.9-11
- /
- 2001
Investigation of Pt/Ti, Ni/Ti Diffusion Barrier Characteristics on Copper in DRAM Technology
DRAM 기술에서 구리에 대한 Pt/Ti, Ni/Ti의 확산 방지막 특성에 관한 연구
- Noh, Young-Rae (Dept. of Electronic Engineering, Chungwoon University) ;
- Kim, Youn-Jang (Dept. of Electrical and Computer Engineering Division, POSTECH) ;
- Chang, Sung-Keun (Dept. of Electronic Engineering, Chungwoon University)
- Published : 2001.11.03
Abstract
차세대 고속 DRAM기술에 사용될 금속인 Cu의 확산 방지막(diffusion harrier) 물질로는 Ta 또는 W 같은 Refractory metal 이 융점(melting point)이 높고 저항값이 낮아 많이 연구 보고되고 있으나, 본 논문에서는 초고주파 소자에서 Au의 확산 방지 막으로 많이 사용되고 있으며. 선택적 증착이 용이한 Pt과 Ni를 MOS 소자의 Cu 확산 방지 막으로 적용하며 어닐링한 후 소자의 게이트 산화막 누설전류(
Keywords