Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

Analysis for Threshold-voltage of EPI MOSFET

EPI MOSFET의 문턱 전압 특성 분석

  • 김재홍 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 고석웅 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 임규성 (논산 백제병원 방사선과) ;
  • 정학기 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 이종인 (군산대학교 전자정보공학부)
  • Published : 2001.10.01
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Abstract

As reducing the physical size of devices, we can integrate more devices per the unit chip area and make its speed better. We have investigated MOSFET built on an epitaxial layer(EPI) of a heavily-doped ground plane. We compared and analyzed the characteristics of such device structure, i.e., impact ionization, electric field and I-V characteristics curve with lightly-doped drain(LDD) MOSFET. We simulated MOSFET with gate lengths from 0.10 to 0.06${\mu}{\textrm}{m}$ step 0.01${\mu}{\textrm}{m}$ in according to constant voltage scaling theory.

최근 소자의 크기가 작아짐에 따라 집적도가 향상되었으며 크기 감소로 인한 전류-전압 특성의 열화 및 기생 커패시턴스에 의한 성능감쇠가 발생하였다. 이런 문제들을 해결하기 위해 여러 가지 구조들이 개발되고 있으며 본 논문에서는 고농도로 도핑된 ground plane 층위에 적층하여 만든 EPI 구조에 대해 조사 분석하였다. 이 구조의 특성과 임팩트 이온화 및 전계 그리고 I-V 특성 곡선을 저농도로 도핑된 LDD(Lightly Doped Drain) 구조와 비교 분석하였다. 소자의 채널 길이는 0.l0$\mu\textrm{m}$부터 0.06$\mu\textrm{m}$까지 0.01$\mu\textrm{m}$씩 스케일링하여 시뮬레이션 하였다.

Keywords