한국정보통신학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference)
- 한국해양정보통신학회 2001년도 춘계종합학술대회
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- Pages.321-324
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- 2001
소자 시뮬레이션을 위한 Micro-Tec과 TCAD의 비교 분석
Comparison on Micro-Tec and TCAD simulators for device simulation
초록
MOSFET는 전력감소, 도핑농도 증가, 캐리어 속도 증가를 위해서 많은 변화를 가져왔다. 이러한 변화를 받아들이기 위해서, 채널의 길이와 공급전압이 감소해야만했으며, 그것으로 인해 소자가 더욱 작아지게 되었다. 본 논문에서는 이러한 변화를 두 가지의 시뮬레이터를 사용하여 비교 분석하였다. 사용되어진 시뮬레이터는 Micro-Tec과 ISE-TCAD이며, 본 논문에서 LDD(lightly-doped drain) MOSFET에 관하여 시뮬레이션 하였다. 게이트 길이는 180nm를 기준으로 MOSFET의 특성과 전계를 비교 분석하였다.
The metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET) has undergone many changes in the last decade in response to the constant demand for increased speed, decreased power, and increased packing density. This paper has compared Micro-Tec with ISE-TCAD. This paper investigates LDD MOSFET using two simulators. Bias condition is applied to the devices with gate lengths 180nm. We have presented MOSF ET's characteristics such as I-V characteristic, electric field. and compared with Micro-Tec and ISE-TCAD.
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