Proceedings of the IEEK Conference (대한전자공학회:학술대회논문집)
- 2001.06b
- /
- Pages.229-232
- /
- 2001
4H-SiC MESFET Large Signal modeling for Power device application
전력소자 응용을 위한 4H-SiC MESFET 대신호 모텔링
- Lee, Soo-Woong (Department of Electronic Engineering, Sogang University) ;
- Song, Nam-Jin (Department of Electronic Engineering, Sogang University) ;
-
Burm, Jin-Wook
(Department of Electronic Engineering, Sogang University) ;
- Ahn, Chul (Department of Electronic Engineering, Sogang University)
- Published : 2001.06.01
Abstract
4H-SIC(silicon carbide) MESFET large signal model was studied using modified Materka-Kacprzak large signal MESFET model. 4H-SiC MESFET device simulation have been conducted by Silvaco's 2D device simulator, ATLAS. The result is modeled using modified Materka large signal model. simulation and modeling results are -8V pinch off voltage, under
Modified Materka-Kacprzak 대신호 MESFET(Metal Semiconductor Field Effect Transistor) model을 사용하여 4H-SiC MESFET의 대신호 모델링을 수행하였다. Silvaco사의 소자 시뮬레이터인 ATLAS를 사용하여 4H-SiC MESFET 소자 시뮬레이션을 수행하고, 이 절과를 modified Materka 대신호 모델을 사용하여 모델링 하였다. 시뮬레이션 및 모델링 결과는 -8V의 pinch off 전압과 V/sub GS=0V, V/sub DS=25V에서 I/sub DSS=270㎃/㎜, G/sub m=45㎳/㎜를 얻을 수 있었고, 진력 특성 시뮬레이션을 통해 2㎓, V/sub GS=-4V, V/sub DS=25V에서 1()dB의 Gain과 34dBm(1dB compression point)의 출력전력, 7.6W/㎜의 전력밀도, 37%의 PAE(power added efficiency)를 얻을 수 있었다.
Keywords