한국전자파학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korea Electromagnetic Engineering Society Conference)

한국전자파학회 (The Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science)
권호 표지

Ka-Band MMIC Mixer의 설계 및 제작

Design and Fabrication of Ka-Band MMIC Mixer

  • 발행 : 2001.11.01
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초록

Ka-Band MMIC Mixer 칩 을 InGaAs/GaAs p-HEMT 공정의 Schottky Diode을 이용하여 개발하였다 설계된 칩은 상/하향 주파수 변환기로 사용할 수 있으며 Double Balance 구조로 되어있다. 크기 3.0$\times$2.4 $\textrm{mm}^2$ 칩의 On-wafer측정 결과, RF주파수 24～27 GHz와 LO주파수 16.28 GHz, IF 주파수 7.72～10.72GHz 상/하향에 대해서, 변환손실 <7dB와 Port별 격리도 >20dBc의 특성을 얻었다.

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