Characteristics of GaN Thick-Films on $NdGaO_3$ Substrate Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy

HVPE법으로 $NdGaO_3$ 기판위에 성장시킨 후막 GaN의 특성

  • 조성룡 (한밭대학교, 신소재공학부 및 반도체기술연구소) ;
  • 여용운 (한밭대학교, 신소재공학부 및 반도체기술연구소) ;
  • 김선태 (한밭대학교, 신소재공학부 및 반도체기술연구소)
  • Published : 2001.05.01