The effect of $N^+$ -implemented Sapphire (0001) substrate on GaN epilayer

$N^+$이온주입된 사파이어 (0001)기판이 GaN epilayer에 미치는 영향

  • 조용석 (고려대학교 재료공학과) ;
  • 변동진 (고려대학교 재료공학과) ;
  • 박용주 (한국과학기술연구원, 광기술연구센터) ;
  • 김은규 (한국과학기술연구원, 광기술연구센터) ;
  • 고의관 (기초과학지원연구소, 서울분소) ;
  • 황성민 (LG 전자기술원, 소자재료연구소) ;
  • 임시종 (LG 전자기술원, 소자재료연구소)
  • Published : 2001.05.01