플라즈마 잠김 이온주입 및 증착법으로 제작된 TiN 박막의 특성에 관한 연구

Study on the characteristics of TiN thin films prepared by plasma immersion ion implantation and deposition

  • 김광훈 (한국전기연구원 전기물리연구그룹) ;
  • ;
  • 이홍식 (한국전기연구원 전기물리연구그룹) ;
  • 임근희 (한국전기연구원 전기물리연구그룹)
  • Kim, Guang-Hoon (Applied Electrophysics Research Group, KERI) ;
  • Nikiforov, S.A. (Applied Electrophysics Research Group, KERI) ;
  • Lee, Hong-Sik (Applied Electrophysics Research Group, KERI) ;
  • Rim, Gun-Hee (Applied Electrophysics Research Group, KERI)
  • 발행 : 2001.07.18

초록

플라즈마 잠김 이온주입 장치를 개조하여 플라즈마 잠김 이온주입 및 증착 장치를 제작하였다. 박막을 증착하기 위하여 마그네트론 스퍼터를 장착하였다. Si 시료에 TiN막을 형성하기 위하여 $PI^3$

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