대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)

대한전기학회 (The Korean Institute of Electrical Engineers)
권호 표지

분리된 단락애노드와 플로팅오믹접합을 사용한 새로운 SOI 이중게이트 수평형 절연게이트바이폴라트랜지스터

A New Dual-Gate SOI LIGBT by employing Separated Shorted Anode and Floating Ohmic Contact

  • 하민우 (서울대학교 전기공학부) ;
  • 이승철 (서울대학교 전기공학부) ;
  • 오재근 (서울대학교 전기공학부) ;
  • 전병철 (서울대학교 전기공학부) ;
  • 한민구 (서울대학교 전기공학부) ;
  • 최연익 (아주대학교 전자공학부)
  • Ha, Min-Woo (School of Electrical Engineering Seoul National University) ;
  • Lee, Seung-Chul (School of Electrical Engineering Seoul National University) ;
  • Oh, Jae-Keun (School of Electrical Engineering Seoul National University) ;
  • Jeon, Byung-Chul (School of Electrical Engineering Seoul National University) ;
  • Han, Min-Koo (School of Electrical Engineering Seoul National University) ;
  • Choi, Yearn-Ik (School of Electrical Engineering, Ajou University)
  • 발행 : 2001.07.18
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초록

본 논문은 스냅백을 효과적으로 제거하고 순방향 전압 강하를 줄이는 새로운 구조의 분리된 이중 게이트 SOI SA-LIGBT를 제안하였다. 제안된 소자는 분리된 단락 애노드와 플로팅 오믹 접합의 적용을 통해 스냅백이 성공적으로 제거되었고, 순방향전압강하는 전류밀도가 100A/$cm^2$일 때 기존의 SA-LIGBT에 비교해서 2V 감소된다. 또한 턴-오프 특성도 분리된 단락 애노드를 적용하였기 때문에 SA-LIGBT보다 개선되었다.

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