ZnS 형광체의 결정구조에 따른 발광 특성 연구

Research of luminescent characteristics due to the crystal structure of ZnS phosphors

  • 박용규 (전자부품연구소 전자소자센터) ;
  • 성현호 (전자부품연구소 전자소자센터) ;
  • 조황신 (중앙대학교 물리학과) ;
  • 이종찬 (원광대학교 전기.전자공학부) ;
  • 박대희 (원광대학교 전기.전자공학부)
  • 발행 : 2000.04.28

초록

진공 분위기에서 소성하여 ZnS 형광체를 제작하였다. ZnS 형광체는 소성온도가 $950^{\circ}C$ 이하인 경우 sphalerite 구조로 성장되었고, $1050^{\circ}C$ 이상인 경우 sphalerite 구조와 wurtize 구조의 공존이 확인되었다. Sphalerite 구조일 때 나타나는 460 nm를 중심으로 하는 발광 peak과 wurtize 구조일 때 나타나는 440 nm를 중심으로 하는 발광 peak은 ZnS 형광체 내에 형성된 $V_{Zn}$에 기인한다. Sphalerite 구조로 성장되었을 때 발광 스펙트럼에서 관측되는 528 nm를 중심으로 하는 발광 peak과 sphalerite와 wurtize 구조가 공존할 때 발광 스펙트럼에서 관측되는 515 nm를 중심으로 하는 발광 peak은 ZnS 형광체 내에 형성된 S의 결핍($V_s$) 준위로부터 가전자 띠로 복사 전이에 기인하는 것으로 설명된다.

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