Crystallographic Characteristics of an Epitaxial C49-$TiSi_2$ Phase Formed in the Si(001) Substrate by $N_2$ Treatment

Si(001) 기판에서 $N_2$ 처리에 의해 형성된 에피택셜 C49-$TiSi_2$상의 결정학적 특성에 관한 연구

  • 양준모 (현대전자 메모리(연) 분석개밭팀) ;
  • 박태수 (현대전자 메모리(연) 분석개밭팀) ;
  • 백태선 (현대전자 메모리(연) 분석개밭팀) ;
  • 김원 (현대전자 메모리(연) 분석개밭팀) ;
  • 박주철 (현대전자 메모리(연) 분석개밭팀) ;
  • 이순영 (현대전자 메모리(연) 분석개밭팀)
  • Published : 2000.05.01