Proceedings of the Optical Society of Korea Conference (한국광학회:학술대회논문집)
- 2000.08a
- /
- Pages.22-23
- /
- 2000
Modulation characteristics of semiconductor electrooptic light modulators
반도체 전계광학 광변조기의 변조특성
Abstract
GaAs/AlGaAs나 InGaAs/InGaAsP와 같은 반도체 기판을 이용한 전계광학 광변조기는 LD나 SOA와 같은 광소자와 단일기판 집적이 가능하고 낮은 chirping과 높은 변조대역폭을 갖는 외부광변조기로서의 장점으로 인하여 마이크로파 대역의 초고속광통신소자로 각광을 받아왔다. 특히 진행파의 속도가 정합된 traveling-wave 전극 구조를 갖는 경우 변조대역폭은 30-400Hz에 달하고 있다
Keywords