Proceedings of the Optical Society of Korea Conference (한국광학회:학술대회논문집)

Optical Society of Korea (한국광학회)
권호 표지

The Study of the Growth and the Photoluminescence of InAs/InP Quantum Dot by Chemical Beam Epitaxy

CBE를 이용한 InAs/InP 양자점의 성장 및 PL 연구

  • 양지상 (한국과학기술연구원 광기술연구센터) ;
  • 우덕하 (한국과학기술연구원 광기술연구센터) ;
  • 이석 (한국과학기술연구원 광기술연구센터) ;
  • 김선호 (한국과학기술연구원 광기술연구센터) ;
  • 김대식 (서울대학교 물리학과)
  • Published : 2000.02.01
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Abstract

최근에 Stranski-Krastanov 방법을 이용한 나노미터 크기의 변형된 섬 구조 제작에 많은 관심을 보이고있다.$^{(1)}$ 이는 결함이 적고, 균일한 저차원의 반도체 구조가 광전자 장치에 지대한 발전을 가져올 것으로 기대되기 때문이다. 예를들어 양자 선이나 양자 점은 반도체 레이저의 이득 영역으로 좋은 특성을 가지는 것으로 알려졌다.$^{(2)}$ 이 논문에서 우리는 Chemical Beam Epitaxy (CBE)를 이용하여 InP 기판 위에 격자상수가 맞지 않는 InAs 층의 성장과 Photoluminescence (PL) 측정을 통해 이 구조의 특성에 대해서 알아보고자 한다. (중략)

Keywords