한국광학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Optical Society of Korea Conference)
- 한국광학회 2000년도 제11회 정기총회 및 00년 동계학술발표회 논문집
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- Pages.256-257
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- 2000
유전체덮개 양자우물 무질서공정에서 $SiN_{x}$ 덮개층 성장시 $NH_3$ 유량비 조절을 통한 InGaAs/InGaAsP 양자우물의 밴드갭 조절
초록
유전체 덮개층을 이용한 impurity free vacancy disordering (IFVD) 기술에 의한 양자우물구조의 밴드갭 조절기술은 양자우물을 갖는 광소자의 제작 및 광소자들의 한판 집적에 광범위하게 적용되어 왔다
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