The Current-Voltage Characteristics analysis of EPI MOSFET using TCAD

TCAD를 이용한 EPI MOSfET의 전류-전압 특성 분석

The technology for characteristics analysis of device for high integration is changing rapidly. Therefore to understand characteristics of high integrated device by computer simulation and to fabricate the device having such characteristics became one of very important subjects. As devices become smaller to submicron, we have investigated MOSFET built on an epitaxial layer(EPI) of a heavily-doped ground plane by TCAD(Technology Computer Aided Design) to develop optimum device structure. We compared and analyzed the characteristics of such device structure, i.e., impact ionization, electric field and I-V characteristics curve with lightly-doped drain(LDD) MOSFET. Also, we presented that TCAD simulator is suitable for device simulation.

소자의 고집적을 위한 특성분석 기술은 빠른 변화를 보이고 있다. 이에 따라 고집적 소자의 특성을 시뮬레이션을 통하여 이해하고 이에 맞게 제작하는 기술은 매우 중요한 과제 중의 하나가 되었다. 소자가 마이크론급 이하로 작아지면서 그에 맞는 소자개발을 위해 여러 가지 구조가 제시되고 있는데 본 논문에서는 TCAD를 이용하여 여러 가지 구조 중on서 고농도로 도핑된 ground plane 위에 적층하여 만든 EPI MOSFET를 조사하였다. 이 구조의 특성과 임펙트 이온화와 전계 그리고 I-V특성 곡선을 저 농도로 도핑된 Drain(LDD) MOSFET와 비교 분석하였다. 또한 TCAD의 유용성을 조사하여 시뮬레이터로서 적합함을 제시하였다.