Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

Fabrication of InP-Based Microstructures for 111- V Compound Semiconductor Micromachining

III-V 화합물 반도체 마이크로머시닝을 위한 InP를 기반으로 한 미세구조의 제조에 관한 연구

  • 노기영 (경북대학교 전자전기공학부) ;
  • 이종현 (경북대학교 전자전기공학부) ;
  • 김정호 (한국해양대학교 전자통신공학과) ;
  • 황상구 (한국해양대학교 전자통신공학과) ;
  • 홍창희 (한국해양대학교 전자통신공학과) ;
  • 심준환 (한국해양대학교 전자통신공학과)
  • Published : 2000.05.01
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

In this paper, we report a fabrication of InP-based microstructurs for III-V compound semiconductor micromachining. Vertical liquid phase epitaxy(LPE) system was used in order to grow the Inp/InGaAsP/InP layers. The thicknesses of InP top-layer and InGaAsP were 1$\mu\textrm{m}$ and 0.4$\mu\textrm{m}$ respectively. The fabrication of InGaAsP microstructures involves front side bulk micromachining. The experimental result showed the beams must be carefully aligned in the <110> direction since the lateral etching of the beam in the <110> direction is more faster than that of the beam in the <100> direction.

본 논문에서는 III-V 화합물 반도체 마이크로머시닝을 위한 InP를 기반으로한 미세구조의 제조에 관하여 보고한다. InP/InGaAsP/1nP 구조를 성장시키기 위하여 수직 LPE 시스템을 사용하였다. 성장된 InGaAsP층의 두께는 0.4$\mu\textrm{m}$이고, InP top-layer의 두께는 l$\mu\textrm{m}$이었다. InGaAsP 미세구조의 제조는 front side 벌크 마이크로머시닝으로 이루어졌다. 실험결과에서 <110> 방향에서 빔의 측면에칭이<100> 방향에서의 에칭보다 더 빠르기 때문에 빔은 <110> 방향으로 정렬되어야 함을 보였다.

Keywords