Anisotropic wet etching by IPA-KOH solutions

IPA-KOH 혼합액에 의한 습식 이방성식각 연구

이방성 습식 식각을 이용하여 멤브레인을 제작하기 위하여 KOH-IPA의 식각액을 사용하여 단결정 실리콘 기판을 이방성으로 식각을 하고, 각 용액에 대한 식각 특성을 관찰하였다. 식각률은 식각액의 온도와 농도에 의존하며, 패턴 형성 방향과 식각액의 농도에 따라 식각 형태가 다르게 나타났다. 패턴은 Primary Flat에 45°로 기울여 형성되었으며 20wt·% KOH 80℃ 이상에서는 U-groove, 그 이하의 온도와 농도에서는 V-groove 식각 형태를 관찰할 수 있었다. 각 면에 대한 식각률 차이에 의해서 생기는 Hillock은 온도와 농도가 높아짐에 따라 줄어들었고, 재식각을 퉁하여 현저하게 줄어듦을 알 수 있었다.