대한전자공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the IEEK Conference)

대한전자공학회 (The Institute of Electronics and Information Engineers)
권호 표지

E-ICP에 의한 산화막 식각특성

Oxide etching characteristics of Enhanced Inductively Coupled Plasma

  • 조수범 (인하대학교 전자 전기 컴퓨터공학부) ;
  • 송호영 (인하대학교 전자 전기 컴퓨터공학부) ;
  • 박세근 (인하대학교 전자 전기 컴퓨터공학부) ;
  • 오범환 (인하대학교 전자 전기 컴퓨터공학부)
  • 발행 : 2000.06.01
PDF 다운로드
⟨ 이전 논문 다음 논문 ⟩

초록

We investigated the etch rate of SiO$_2$ in E-ICP, ICP system and the addition gas (O$_2$H$_2$) effect on SiO$_2$ etch characteristics. In all conditions, E-ICP shows higher etch rate than ICP. Small amount of O$_2$ addition increase F atom and O$\^$*/ concentration. at optimized condition (30％ O$_2$ in CF$_4$, 70Hz) E-ICP system shows highest etch rate (about 6000${\AA}$). H$_2$addition in CF$_4$ Plasma make abrupt decrease Si etch rate and moderate decrease SiO$_2$ etch rate.

키워드