Proceedings of the IEEK Conference (대한전자공학회:학술대회논문집)
- 2000.06b
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- Pages.286-289
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- 2000
The Effect of Doping Layer Structures on the Performance of Millimeter-wave PHEMT's
밀리미터파 PHEMT의 도핑층 설계에 따른 특성 변화
- Park, Hoon (Semiconductor Design Lab, Dongguk University) ;
- Park, Jin-Kuk (Semiconductor Design Lab, Dongguk University) ;
- Jung, Ji-Hak (Semiconductor Design Lab, Dongguk University) ;
- Park, Hyun-Chang (Semiconductor Design Lab, Dongguk University)
- 박훈 (동국대학교 전자공학과 반도체 설계 연구실) ;
- 박진국 (동국대학교 전자공학과 반도체 설계 연구실) ;
- 정지학 (동국대학교 전자공학과 반도체 설계 연구실) ;
- 박현창 (동국대학교 전자공학과 반도체 설계 연구실)
- Published : 2000.06.01
Abstract
PHEMT's with three different doping structures, -SH(single-heterojunction), DH (double-heterojunction), and DC(doped-channel)-,were designed, fabricated and characterized to study the effect of doping layer structures on the performance of millimeter-wave PHEMT's. 0.25
Keywords