Implementation of local model for non-local impact ionization

Non-local impact ionization 현상해석을 위한 local model 개발

A new local model for impact ionization coefficients is proposed to account for a non-local effect. New model uses an effective electric field which comes from the path integral of a tangent electric field at an arbitrary point. The model consists of local variables, such as doping concentration, carrier concentration and gradient of the field, and can be easily applied to a conventional drift-diffusion device simulator. By comparing the results with Monte Carlo simulation, it is confirmed that new model explains the non-local effect fairly well.

Non-local impact ionization 현상의 해석에 사용될 수 있는 새로운 local model이 제시되었다. 새로운 모델은 임의의 점에서 가상의 선형 전기장과 path integral로 계산되는 유효전기장의 값을 이용한다. 이 모델은 불순물 농도, 전자 및 홀 농도, 전기장의 기울기 둥의 local 변수만을 이용함으로써 기존의 drift-diffusion 소자 시뮬레이터에 쉽게 적용될 수 있다. 결과를 Monte Carlo 시뮬레이션과 비교하여 새로운 모델이 non-local 현상을 잘 설명하는 것을 확인할 수 있었다.