대한전자공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the IEEK Conference)

대한전자공학회 (The Institute of Electronics and Information Engineers)
권호 표지

쌍극성표동 효과와 이체충돌효과를 고려한 ICP(Inductive Coupled Plasma) 3차원 식각

3D Etching Profile used Inductive Coupled Plasma (ICP) Source with Ambipolar Drift and Binary-Collision Effect.

  • 이영직 (중앙대학교 전자공학과 반도체 공정 소자 연구실) ;
  • 이강환 (중앙대학교 전자공학과 반도체 공정 소자 연구실) ;
  • 이주율 (중앙대학교 전자공학과 반도체 공정 소자 연구실) ;
  • 강정원 (중앙대학교 전자공학과 반도체 공정 소자 연구실) ;
  • 문원하 (중앙대학교 전자공학과 반도체 공정 소자 연구실) ;
  • 손명식 (세명대학교 전자공학과 반도체 연구실) ;
  • 황호정 (중앙대학교 전자공학과 반도체 공정 소자 연구실)
  • 발행 : 1999.11.01
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초록

ICP reactor produces high-density and high-uniformity plasma in large area, are has excellent characteristic of direction in the case of etching. Until now, many algorithms used one mesh method. These algorithms are not appropriate for sub 0.1 ${\mu}{\textrm}{m}$ device technologies which should deal with each ion. These algorithms could not present exactly straggle and interaction between projectile ions and could not consider reflection effects due to interactions among next projectile ions, reflected ions and sputtering ions, simultaneously. And difficult consider am-bipolar drift effect.

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