대한전자공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the IEEK Conference)
- 대한전자공학회 1999년도 추계종합학술대회 논문집
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- Pages.199-202
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- 1999
RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 제작된 Pb[(Zr. Sn)Ti]NbO$_3$ 박막의 강유전 특성
Ferroelectric properties of Pb[(Zr. Sn)Ti]NbO$_3$ Thin Films prepared by RF Magnetron Sputtering Method
초록
반강유전 물질인 Pb[(Zr. Sn)Ti]NbO₃를 La/sub 0.5/Sr/sub 0.5/CoO₃/Pt/Ti/SiO₂/Si 기판상에 RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 박막화하여 그 결정성과 전기적 특성을 조사하였다. 80 W의 RF power, 400℃의 기판온도, Ar:O₂= 9:0.5의 분위기에서 증착되고, 650 ℃에서 10초동안 RTP(Rapid Thermal Process) 방법으로 열처리된 박막이 가장 우수한 페로브스카이트 구조를 보였으며, 10 ㎑ 에서 유전상수(ε')는 721, 유전손실(tan δ)은 0.06을 나타내었다. 잔류분극(Pr)은 15.5 μC/㎠ 였으며, 항전계(Ec)는 51 ㎸/㎝로 비교적 낮은 값을 나타내었다.
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