Effect of Si Content on Electrical and Optical Properties of PECVD Silicon Oxynitride Film

Si 함량이 PECVD SiON 박막의 전기적 및 광학적 물성에 미치는 영향

  • 유춘근 (현대전자산업(주) 선행기술연구소) ;
  • 구자춘 (현대전자산업(주) 선행기술연구소) ;
  • 오수진 (현대전자산업(주) 선행기술연구소) ;
  • 김시범 (현대전자산업(주) 선행기술연구소) ;
  • 김삼동 (현대전자산업(주) 선행기술연구소) ;
  • 김정태 (현대전자산업(주) 선행기술연구소)
  • Published : 1999.05.01