스퍼터링을 이용한 $YMnO_3$/Si(100) 구조의 제작

Fabrication of $YMnO_3$/Si(100) Structures by RF Magnetron Sputtering

  • 김진규 (청주대학교 전자공학과) ;
  • 김채규 (청주대학교 전자공학과) ;
  • 정순원 (청주대학교 전자공학과) ;
  • 김용성 (청주대학교 전자공학과) ;
  • 이남열 (청주대학교 전자공학과) ;
  • 김광호 (전자 · 정보통신 · 반도체 공학부) ;
  • 유병곤 (한국전자통신 연 구원) ;
  • 이원재 (한국전자통신 연 구원) ;
  • 유인규 (한국전자통신 연 구원)
  • 발행 : 1999.11.01

초록

The growth of $\textrm{YMnO}_3$ films directly on Si(100) substrates by RF magnetron sputtering system has been performed. The structural properties of $\textrm{YMnO}_3$ films on Si(100) by rapid thermal annealing(RTA) analysed by XRD(X-ray diffraction). The c-axis oriented $\textrm{YMnO}_3$ peaks were observed deposited in $\textrm{YMnO}_3$/Si(100) structure at RF power of 100W and at a temperature range of $840^{\circ}C$~$870^{\circ}C$ in oxygen ambient.

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