Effect of Boron Doping Concentration on the Electrical and Optical Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Carbide Thin Films Prepared by PECVD

플라즈마 화학증착법으로 제조된 수소화된 비정질 탄화실리콘 박막의 전기 및 광학특성에 대한 붕소의 도핑효과

  • 김현철 (울산대학교 재료금속공학부) ;
  • 이재신 (울산대학교 재료금속공학부)
  • Published : 1999.11.01