Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 1999.07a
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- Pages.30-30
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- 1999
Copper MOCVD using catalytic surfactant : Novel concept
- Hwang, Eui-Seong (division of Chemical Engineering, Seoul National University) ;
- Lee, Jihwa (division of Chemical Engineering, Seoul National University)
- Published : 1999.07.01
Abstract
알루미늄에 비해 전기저항이 낮고 electromigration 및 stress-migration에 대한 저항서이 높은 구리는 차세대 반도체 소자의 배선금속 재료로 여겨지고 있다. 최근 Chemical Mechanical Polishing (CMP) 기술의 도래로 구리배선 공정의 채택이 더욱 앞당겨질 전망이다. 한편, 구리 MOCVD를 위해 다양한 전구체화합물이 합성되었고, 근래에는 Cu(I)(hfc)L (L은 Lewis base 형태의 ligand) 형태의 전구체를 이용한 많은 증착 연구를 통하여 순수하고 전기저항이 낮은 구리 박막의 증착이 보고되었다. 구리 MOCVD의 가장 큰 문제점은 증착속도가 150-
Keywords