Switching Performance of 3.3kV HVIGBTs with PT and NPT Structures

PT와 NPT 구조를 가진 3300V HVIGBT 스위칭 특성 비교 연구

  • 엄기주 (한양대학교 전기공학과) ;
  • 서범석 (페어차일드 코리아 반도체 주식회사) ;
  • 현동석 (한양대학교 전기공학과)
  • Published : 1999.07.01

Abstract

이 논문은 3300V 정격의 PT와 NPT HVIGBT의 스위칭 특성을 비교하여 제시한다. 실제적인 응용을 고려하여 hard 스위칭 조건에서 실험하여 얻어진 데이터 수치들을 보인다. 이 비교 평가가보다 나은 스위칭 특성들을 얻기 위한 기반이 될 수 있을 것이다.

Keywords