Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 1999.07d
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- Pages.1830-1832
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- 1999
A study of electrical characteristic of MOSFET device
고에너지 이온주입에 따른 격자 결함 발생 및 거동에 관한 열처리 최적화방안에 관한 연구
- Song, Young-Doo (Hanyang University) ;
- Kwack, Kae-Dal (Hanyang University)
- Published : 1999.07.19
Abstract
고에너지 이온주입(1)에 기인한 격자 손상 발생 및 열처리에 따라 이들의 회복이 어느정도 가능한지에 대하여 측정 및 분석방법을 통하여 조사하였다. 그리고 본 실험에서는 이온주입시 형성되는 빈자리 결함(Vacancy defect)과 격자간 결함(interstitial defect)의 재결할(recombination)을 이용 점결합(point defect)를 감소 시킬 수 있는 effective RTA조건을 설정하여 well 특성을 개선하고자 하였다. 8inch p-type Si(100)기판에 pad oxide 100A을 형성한 후 NMOS 형성하기 위해 vtn
Keywords