Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 1999.07d
- /
- Pages.1671-1673
- /
- 1999
A Study On The Optimized Process Condition and Current Drivability for Asymmetric Source/Drain SOI Device
비대칭 SOI 소자의 최적화된 공정 조건과 전류구동능력에 관한 연구
- Lee, Won-Seok (Dept. of Electronic Engineering, Hanyang Univ.) ;
- Chung, Seoung-Ju (Dept. of Electronic Engineering, Hanyang Univ.) ;
- Song, Young-Du (Dept. of Electronic Engineering, Hanyang Univ.) ;
- Ko, Bong-Gyun (Dept. of Electronic Engineering, Hanyang Univ.) ;
-
Kwak, Kae-Dal
(Dept. of Electronic Engineering, Hanyang Univ.)
- Published : 1999.07.19
Abstract
일반적으로 SOI 소자에 대한 연구는 film 두께. 채널길이 그리고 doping 농도에 따라 폭넓게 연구되어 왔다. 제안한 소스/드레인 비대칭 SOI 소자는 일반적인 LDD SOI 소자와 비교하여 항복전압은 거의 비슷한 반면. 전류 구동능력은 훨씬향상된 소자를 구현 시킬수 있었다. 비대칭 SOI 소자를 설계하기 위하여 최적화된 공정조건을 모의 실험용 TCAD Simulator (SILVACO)를 이용하여 검증하였다. 검증된 공정 변수를 이용하여 모의 실험을 해보았더니 항복전압과 전류 구동능력에서 좋은 특성을 나타내었다.
Keywords