Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

Current increase resulted from defect during diode reverse recovery

Defect에 의한 다이오드 reverse recovery특성시의 전류 증가현상

  • Lee, Ho-Jun (Dept. of Electronics Engineering Ajou University) ;
  • Lee, Ho-Sung (Dept. of Electronics Engineering Ajou University) ;
  • Park, Jun (Dept. of Electronics Engineering Ajou University) ;
  • Jo, Jung-Yol (Dept. of Electronics Engineering Ajou University)
  • 이준호 (아주대학교 전자공학부) ;
  • 이호성 (아주대학교 전자공학부) ;
  • 박준 (아주대학교 전자공학부) ;
  • 조중열 (아주대학교 전자공학부)
  • Published : 1999.07.19
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

본논문은 제작된 다이오드 switching시 나타난 전류 증가현상을 관측하고 그 원인을 분석했다. 증가현상을 보이는 구조는 다이오드에 전자를 조사한 소자로 proton을 조사한 구조에 비해서 접합부근에 high defect density 영역이 형성된다. Reverse recovery시에 이영역에 높은 역방향 전계가 형성, 조사에 순간적으로 전류가 증가하게 한다.

Keywords