InAlAs 에피층의 상분리 및 규칙 현상에 관한 투과전자현미경 연구

  • 조형균 (한국과학기술원 재료공학과) ;
  • 이정용 (한국과학기술원 재료공학과)
  • Published : 1998.05.01

Abstract

본 연구에서는 저온에서 InP 기판 위에 성장한 InAlAs 에피층에 존재하는 상분리와 규칙 현상을 투과전자현미경 관찰을 통해 관찰하였다. 저온에서 성장한 에피층에서 상분리의 거동이 크게 나타났으나 규칙 현상은 특정한 온도에서 최대를 나타낸다. $800^{\circ}C$ 이상에서 3분간의 열처리로 규칙 현상이 사라졌으나 상분리 현상은 변화를 보이지 않는다. 그러나 Zn가 포함된 장시간, 저온에서 열처리로 상분리 현상이 완전히 사라졌다.

Keywords