Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

$NO_2$ Gas Sensor Utilizing Pt-$WO_3-Si_3N_4-SiO_2$-Si-Al Capacitor

Pt-$WO_3-Si_3N_4-SiO_2$-Si-Al 캐패시터를 이용한 $NO_2$ 가스 센서

  • 김창교 (순천향대학교 전기공학과) ;
  • 이주헌 (순천향대학교 전기공학과) ;
  • 이영환 (순천향대학교 전기공학과) ;
  • 유광수 (서울시립대학교 재료공학과) ;
  • 김영호 (수원대학교 전자재료공학과)
  • Published : 1998.11.01
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Abstract

Pt-WO$_3$-Si$_3$N$_4$-SiO$_2$-Si-Al 캐패시터를 이용한 NO$_2$ 가스 센서를 개발하였다. 표준 실리콘 MNOS구조에 촉매 게이트로 Pt와 가스 흡착층으로 WO$_3$를 이용함으로서 전통적인 세라믹 가스 센서보다 낮은 온도에서 NO$_2$ 가스를 감지할 수 있었다. 은도 변화와 NO$_2$ 가스 농도의 변화에 따라서 디바이스의 NO$_2$ 가스 감도를 조사하였다. Pt-WO$_3$ 계면에서 NO$_2$ 이온농도의 변화에 기초로 한 가스 감지 모델을 제시하였다. 제시된 가스 감지 모델을 계면에서의 가스 반응 속도론에 의하여 분석함으로서 확인하였다.

Keywords